納品事例

SiCパワーデバイス向けの10kV対応セミオートプローバー

開発品のSiCのFET、ダイオードを大量に測定するためにセミオートプローバーを導入したいというお話がありました。

電圧は10kV、電流は200A程度ということですが、量産に近いということ、温度も最高で250℃ということでフロリナート等の絶縁液浸は使えません。

放電を抑え込むプローブカード仕様として製作し、納品をしました。

プローブカードで測定できる温度は175℃までになります。熱風をウエハに吹き付けるのですが、プローブカードの樹脂が175℃までしか耐えられないためです。

なお、この時はインカー装置も搭載しました。

ご要望 : SiCのデバイスで高電圧10kV印加、電流200A測定。高温にもしたい。

結果  : 放電防止プローブカードに大電流プローブカードの要素を盛り込み、10kV、200Aの測定を運用いただいています。
もちろんマニピュレーター+針でのマニュアル測定も可能な仕様です。

 

ベース機種 : AP-200

 

 

 

 

 

 

 

 

 

#セミオートプローバー

#パワーデバイス

#SiC

#GaN

#放電防止プローブカード

 

詳しくはお問合せ下さい。

pagetop