開発品のSiCのFET、ダイオードを大量に測定するためにセミオートプローバーを導入したいというお話がありました。

電圧は10ｋV、電流は200A程度ということですが、量産に近いということ、温度も最高で250℃ということでフロリナート等の絶縁液浸は使えません。

放電を抑え込むプローブカード仕様として製作し、納品をしました。

プローブカードで測定できる温度は175℃までになります。熱風をウエハに吹き付けるのですが、プローブカードの樹脂が175℃までしか耐えられないためです。

なお、この時はインカー装置も搭載しました。

ご要望　：　SiCのデバイスで高電圧10ｋV印加、電流200A測定。高温にもしたい。

結果　　：　放電防止プローブカードに大電流プローブカードの要素を盛り込み、10ｋV、200Aの測定を運用いただいています。
もちろんマニピュレーター+針でのマニュアル測定も可能な仕様です。

 

ベース機種　：　AP-200

組合わせた測定器：IWATSU　半導体カーブトレーサCSシリーズ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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