NANO アプリケーション

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ナノプロービング

ナノプロービング

  • • チップ先端半径:最小5nm
  • • 位置決め精度:最小1.5nm(X,Y),3.5nm(Z)
  • • 集積回路のセキュリティ脅威評価
  • • チップ設計とリバースエンジニアリング
半導体デバイスの特性評価

半導体デバイスの特性評価

  • • 故障領域解析
  • • 単体トランジスター/ダイオードのIV曲線測定
  • • SRAMセルの特性評価
  • • 配線ビアチェーンなどの抵抗測定
EBICの測定

EBICの測定

  • • p-n接合のアクティブな領域を視覚化し欠陥の特定
  • • バイアス下のサンプルの動的電気特性マッピング
EBAC / RCIの測定

EBAC / RCIの測定

  • • 配線の短絡部、断線部特定
ナノデバイスの電気特性測定

ナノデバイスの電気特性測定

  • • マイクロマシン(MEMS)およびセンサー
  • • 光電子工学機器、マイクロLED、太陽電池
  • • ナノワイヤ、グラフェン、薄膜、ナノ粒子など
ナノ操作

ナノ操作

  • • ナノ粒子のピックアップ、再配列
  • • マイクロおよびナノファブリケーション
  • • 透過型電子顕微鏡(TEM)観察用薄膜試料作製

カタログはこちらからご請求ください。

 
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